近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線，預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng)，結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程，不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。

. 合資模式的“雙刃劍”：技術(shù)引進與自主突圍的平衡

意法半導(dǎo)體與三安光電合資的重慶8英寸碳化硅晶圓廠(安意法半導(dǎo)體)通線，標(biāo)志著中國碳化硅產(chǎn)業(yè)邁入規(guī)?；a(chǎn)階段。這一模式借鑒了傳統(tǒng)汽車行業(yè)合資經(jīng)驗——通過引入外資技術(shù)加速產(chǎn)業(yè)鏈成熟，例如早期合資車企(如大眾、通用)推動了中國汽車供應(yīng)鏈的完善。然而，過度依賴外資可能導(dǎo)致技術(shù)空心化，正如部分合資車企長期依賴外方核心技術(shù)，自主品牌發(fā)展滯后。

在碳化硅領(lǐng)域，合資廠的短期價值在于技術(shù)溢出和供應(yīng)鏈本土化。

但長期需警惕“市場換技術(shù)”陷阱，需以合資為跳板，強化自主創(chuàng)新能力。例如，比亞迪從電池到IGBT的垂直整合路徑，正是從合資合作中汲取經(jīng)驗后實現(xiàn)技術(shù)突破的典型案例。

2. 自主品牌的技術(shù)攻堅：從襯底到器件的垂直整合

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心瓶頸在于襯底和外延片的高質(zhì)量量產(chǎn)以及器件生產(chǎn)和模塊封裝。過去十年，國內(nèi)企業(yè)如天岳先進(襯底龍頭)通過技術(shù)積累逐步打破國際壟斷。BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產(chǎn)車規(guī)級SiC碳化硅(深圳基本半導(dǎo)體)芯片產(chǎn)線和汽車級SiC碳化硅功率模塊(無錫基本半導(dǎo)體)專用產(chǎn)線;BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，是國內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊(比如BASiC基本股份)量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊產(chǎn)品類型豐富，包括EasyPACK?封裝的E1B & E2B工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊，以及34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可廣泛應(yīng)用于大功率充電樁、有源電力濾波器(APF)、儲能變流器(PCS)、高端電焊機、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器等領(lǐng)域。

汽車級全碳化硅功率模塊是基本半導(dǎo)體為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore?6?汽車級HPD模塊(6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián))、?Pcore?2?汽車級DCM模塊、?Pcore?1?汽車級TPAK模塊、Pcore?2?汽車級ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。

3. 市場驅(qū)動與政策協(xié)同：從低端替代到高端引領(lǐng)

碳化硅市場需求已經(jīng)從碳化硅二極管等低端器件轉(zhuǎn)為碳化硅MOSFET、SiC功率模塊等中高端產(chǎn)品。新能源汽車(占市場75%以上)和新能源發(fā)電和儲能需求成為核心驅(qū)動力。SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象。

4. 行業(yè)洗牌與生態(tài)重構(gòu)：從“價格戰(zhàn)”到“價值戰(zhàn)”

當(dāng)前碳化硅行業(yè)呈現(xiàn)兩極分化：

頭部效應(yīng)：比如BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)通過自研碳化硅MOSFET芯片工藝和汽車SiC功率模塊形成護城河;

淘汰風(fēng)險：僅聚焦二極管和碳化硅MOSFET期間質(zhì)量不過關(guān)的中小企業(yè)因技術(shù)單一、面臨生存危機。

生態(tài)重構(gòu)策略：

標(biāo)準(zhǔn)制定：推動國產(chǎn)碳化硅器件認證體系，打破國際標(biāo)準(zhǔn)壟斷;

專利布局：加強核心工藝(如柵氧可靠性、TDDB壽命模型)的專利保護，避免重蹈汽車行業(yè)“專利圍剿”覆轍。

5. 未來展望：從“跟隨者”到“引領(lǐng)者”的跨越

國產(chǎn)碳化硅的突圍需借鑒自主汽車品牌(如吉利、比亞迪)的逆襲經(jīng)驗：

技術(shù)迭代：國產(chǎn)自主品牌的襯底外延，器件制造，模塊封裝持續(xù)技術(shù)進步和戰(zhàn)略合作;

全球化布局：通過海外并購或者人才吸納獲取尖端技術(shù);

生態(tài)閉環(huán)：構(gòu)建“材料-器件-系統(tǒng)”協(xié)同創(chuàng)新鏈，例如BASiC基本半導(dǎo)體在碳化硅模塊與上市公司光伏逆變器和儲能變流器的聯(lián)動布局。

最終目標(biāo)：在2030年全球碳化硅市場規(guī)模突破100億美元的浪潮中，實現(xiàn)從“國產(chǎn)替代”到“技術(shù)輸出”的質(zhì)變，成為全球化合物半導(dǎo)體的核心參與者。

結(jié)論

國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強之路，必須以碳化硅功率半導(dǎo)體質(zhì)量為生命線，更需通過垂直整合、高端市場聚焦和生態(tài)重構(gòu)實現(xiàn)自主突圍。這一路徑與自主汽車品牌的崛起異曲同工——唯有打破“技術(shù)依賴”與“低端內(nèi)卷”的桎梏，方能在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變局中占據(jù)主導(dǎo)地位。